Energie
| Energieverbrauch (lesen) |
1.9 W |
| Energieverbrauch (schreiben) |
1.9 W |
| Energieverbrauch (idle) |
0.5 W |
Weitere Spezifikationen
| Unkorrigierbare Bit Error-Rate (UBER) |
1 sector per 10^16 bits read |
| Prozessor Lithografie |
20 nm |
| Eingebaut |
Y |
Leistung
| SSD-Nutzungs-Tag |
Data center |
| Speichertyp |
MLC |
| Lesegeschwindigkeit |
340 MB/s |
| Schreibgeschwindigkeit |
110 MB/s |
| S.M.A.R.T. Unterstützung |
Y |
| SSD Speicherkapazität |
80 GB |
| SSD ARK ID |
82114 |
| Zufälliges Schreiben (100% span) |
8300 IOPS |
| Zufälliges Lesen (100% span) |
65000 IOPS |
| Intel® High Endurance Technology (HET) |
N |
| TRIM-Unterstützung |
Y |
| Zufälliges Schreiben (4KB) |
8300 IOPS |
| Zufälliges Lesen (4KB) |
67000 IOPS |
| Wartezeit (Lesen) |
50 µs |
| Wartezeit (Schreiben) |
65 µs |
| Verbesserte Stromausfall-Datenschutz Technologie |
Y |
| SSD Temperaturüberwachung |
Y |
| End-to-End Datenschutz |
Y |
| Lithographie |
20 nm |
| SolidStateDrive (SSD) Schnittstelle |
Serial ATA III |
Technische Details
| Stoßfest (außer Betrieb) |
1000 G |
| Stoßfest (in Betrieb) |
1000 G |
| Status |
Launched |
| Vibrationen außer Betrieb |
3.13 G |
| Vibrationen in Betrieb |
2.17 G |
Software
| Unterstützte Linux-Betriebssysteme |
Y |
Design
| Produktfamilie |
Data center SSD |
| Produktreihe |
Intel DC S3500 |
| Codename des Produkts |
Wolfsville |
Zusätzlich
| Native Command Queuing (NCQ) |
Y |
80GB DC S3500 Series M.2, MLC, SATA III
Intel® Solid-State-Laufwerke der Produktreihe DC S3500 kombinieren schnelle, dauerhafte Leseleistung mit wirksamem Schutz der Daten und geringem Energieverbrauch bei Aktivität, um bei Video-Conferencing-, Big-Data-Analyse- oder Virtual-Client-Anwendungen überragende Dienstgüte (QoS) zu bieten. Eine konstant niedrige Leselatenz von typisch 50 µs (maximal 500 µs in 99,9 % der Betriebszeit) sowie bis zu 75 000 Ein-/Ausgaben pro Sekunde (IOPS) mit sehr geringen Abweichungen sind charakteristische Merkmale dieser hochleistungsfähigen, zuverlässigen und effizienten SSDs, die speziell für Aufrüstungen in Rechenzentren konzipiert sind.
Zu den Besonderheiten und Vorteilen dieser Datenspeicher zählen ein Intel® Controller der 3. Generation, die marktführende 20-nm-MLC-NAND-Flash-Technik (Multi-Level Cell), der umfassende End-to-End-Schutz für die Daten, die verbesserte Sicherung der Daten bei Stromausfall und eine breite Auswahl an Kapazitäten bis 800 GB.
